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又一台高端光刻机进驻国内!扩产大潮迎面袭來,DRAM价格崩跌

2018-12-24 10:39| 发布者: 炼数成金_小数| 查看: 18265| 评论: 0|原作者: 连于慧|来自: DeepTech深科技

摘要: 全球半导体大厂在国内投产的技术工艺越来越高端,其中,三星电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)分别在西安和大连提高 3D NAND 技术水平,而台积电南京厂的 16 nm 也进入量产,SK 海力士则是将 1x nm 的 D ...

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全球半导体大厂在国内投产的技术工艺越来越高端,其中,三星电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)分别在西安和大连提高 3D NAND 技术水平,而台积电南京厂的 16 nm 也进入量产,SK 海力士则是将 1x nm 的 DRAM 技术落地无锡,并为国内带来 ASML 较先进的光刻机 NXT:2000,再度打破高端光刻机不能进入国内的说法,但也为未来 DRAM 价格走势埋下崩跌的隐忧。

ASML 是全球光刻机龙头,但一直被高端机台不能进入国内的说法所困扰着。从 2018 年初起,ASML 陆续将一系列的高端光刻机带到国内市场,以行动打破此说法,目前除了中芯国际已预订一台极紫外线(EUV)光刻机将于 2019 年交货外,长江存储的武汉 12 寸厂、 SK 海力士的无锡 12 寸厂等,都陆续有高端光刻机进驻,协助国内半导体提升技术制造的水平。


(来源:ASML)

早在 2018 年 9 月在无锡举行的集成电路制造年会中,ASML 中国区总裁沈波即预告,较先进的 NXT:2000 机台很快就可以在国内看到,而该说法也在日前 SK 海力士于无锡厂举行的进机典礼中得到证实。

ASML 较先进的 NXT 2000 机台是 DUV 光刻机,用来生产逻辑工艺的 7 nm 和 5 nm 芯片,对标到 DRAM 存储工艺技术,就是生产 1x nm 工艺,而 SK 海力士于无锡厂是一座 12 寸 DRAM 厂,即将把较高端的 1x nm 技术引入国内。


(来源:ASML)

如果将国内半导体制造的历史分为三个阶段来看,1997 ~ 2000 年是国内半导体厂快速诞生期,包括 1997 年成立的华虹 NEC,以及 2000 年成立的中芯国际,都是国内半导体制造厂的先驱。

进入 2005 年后,则是另一波外资企业进驻的高峰期,最早的一批就是海力士与意法半导体合资成立的无锡 8 寸厂,之后意法半导体退出,SK 海力士也将无锡厂改为 12 寸的 DRAM 生产线。

2007 年英特尔则是在大连成立芯片组装厂,然该厂在近几年也陆续改为高端的 3D NAND 生产线。美光也在 2007 年左右于西安成立芯片封装厂,三星更于 2012 年在西安建立 NAND Flash 生产线,现在西安已经成为三星在全球最重要的 3D NAND 生产基地之一,由此可见,全球存储大厂在国内的布局已经有初步的雏形。

SK 海力士为卡位国内庞大的 DRAM 内存市场,大力加码无锡 12 寸生产线,或许是趁着国内两大 DRAM 自制阵营合肥长鑫和福建晋华的技术都还未成气候前,抢先一步扩产,事实上,福建晋华的小小火苗,已经早一步被美光“捻熄”。

SK 海力士在无锡的第二期扩产总投资高达 86 亿美元,兴建完成后,估计月产能将达 20 万片 10 nm 产能,预计年销售额由目前 19 亿美元,增加至 33 亿美元。

SK 海力士在国内的布局还不仅如此,更计划把逻辑工艺的 8 寸生产线移到无锡,主要是看好国内人工智能、物联网、车用电子等相关芯片的热络需求,该厂计划在 2019 年下半年正式完工。


(来源:SK 海力士)

不过,SK 海力士在晶圆代工领域的势力一项偏弱,想藉由国内的芯片设计业者之力来突围,实际效应待观察。

在大厂带头扩产下,未来的 DRAM 价格恐有近一步血流成河的征兆,事实上,该市场已经濒临寒冬。

根据市调机构 TrendForce 统计,DRAM 价格包括 PC 用的标准型、服务器、利基型、手机用的各类内存芯片不但都转跌,2018 年 11 月合约价意外出现二次下修,预计 2019 年第一季的合约价格跌幅将继续扩大。

其中,手机用的移动存储芯片受到新一代 iPhone 的出货高峰已过,Android 手机在通路端的整机库存偏高,目前都处于库存去化阶段,而 2019 年智能手机的需求量将较 2018 年衰退,因此,手机存储芯片后市需求持续看弱。

服务器市场遇到的状况也类似,相关存储芯片在市场上的库存水位偏高,加上进入淡季,可以看到在 32 GB 的主流模组上,供应商明显地积极砍价求售。

日前美光股价大跌,反映存储芯片价格未来有隐忧。美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 也表示,经历过去两年的强劲成长后,现在数据中心的客户已经进入库存调整期,预期这样困境会持续好几季。

根据世界半导体贸易组织(WSTS)的统计,原本预期 2019 年市场产值可以达 5,020 亿美元,较 2018 年成长 5.2%,现在下调到至 4,901 亿美元,较 2018 年仅成长 2.6% 左右,当中,存储芯片的跌价就是导致全球半导体产值增幅缩水的主因。

事实上,存储价格已经维持两年的旋风涨势,2017 年较 2016 年大涨 61.5%,2018 年则是较 2017 年上涨 33.2%,然进入 2019 年,预计存储价格恐再度回到许久未见的负增长走势。

行业人士都心知肚明,美光、三星、SK 海力士这些存储大厂都非常害怕国内业者自己掌握技术和生产制造,因为所有的进口芯片中,存储芯片占据较大量,因此,美光狙击福建晋华、紧盯合肥长鑫,而三星是用 3D NAND 卡位国内市场,SK 海力士则是扩大无锡厂的高端 1x nm 芯片产能,国内市场已然成了国际存储大厂既爱又怕的软肋所在。

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